Продукція > ONSEMI > NTH4L075N065SC1
NTH4L075N065SC1

NTH4L075N065SC1 onsemi

nth4l075n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+678.49 грн
30+ 521.26 грн
120+ 466.39 грн
510+ 386.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTH4L075N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTH4L075N065SC1 за ціною від 352.64 грн до 895.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTH4L075N065SC1 NTH4L075N065SC1 Виробник : onsemi NTH4L075N065SC1_D-3150376.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.88 грн
10+ 613.91 грн
25+ 484.35 грн
100+ 445.33 грн
250+ 418.84 грн
450+ 392.36 грн
900+ 352.64 грн
NTH4L075N065SC1 NTH4L075N065SC1 Виробник : ONSEMI nth4l075n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+895.94 грн
5+ 777.88 грн
10+ 659.83 грн
50+ 588.02 грн
100+ 520 грн
250+ 458.35 грн
NTH4L075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+381.33 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+749.67 грн
10+ 644.94 грн
NTH4L075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nth4l075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
товар відсутній