NTH4L027N65S3F onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1542.42 грн |
| 10+ | 1319.78 грн |
| 450+ | 985.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L027N65S3F onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V.
Інші пропозиції NTH4L027N65S3F за ціною від 991.71 грн до 1657.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L027N65S3F | Виробник : onsemi |
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
650 V, N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
650 V, N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| NTH4L027N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |