![NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6129/488%7E340CJ%7E%7E4.jpg)
NTH4L022N120M3S onsemi
![nth4l022n120m3s-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 902.39 грн |
10+ | 799.05 грн |
30+ | 765.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L022N120M3S onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTH4L022N120M3S за ціною від 715.01 грн до 2195.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTH4L022N120M3S | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTH4L022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |