NTH4L020N120SC1 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2052.21 грн |
| 5+ | 1913.83 грн |
| 10+ | 1774.67 грн |
| 50+ | 1635.57 грн |
| 100+ | 1440.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L020N120SC1 ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTH4L020N120SC1 за ціною від 1614.75 грн до 2785.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L020N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 510W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L020N120SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTH4L020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NTH4L020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 408A Power dissipation: 255W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTH4L020N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
NTH4L020N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 408A Power dissipation: 255W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |