NTH4L014N120M3P ON Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 1405.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTH4L014N120M3P ON Semiconductor
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V, Power Dissipation (Max): 686W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V.
Інші пропозиції NTH4L014N120M3P за ціною від 1241.2 грн до 2171.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTH4L014N120M3P | Виробник : onsemi |
 Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V Power Dissipation (Max): 686W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTH4L014N120M3P | Виробник : onsemi |
MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|