![NTF5P03T3G NTF5P03T3G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/4/37/349/ons_/manual/3sot-223.jpg)
NTF5P03T3G ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 27.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF5P03T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTF5P03T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.13W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTF5P03T3G за ціною від 24.41 грн до 83.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 3.13W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 7238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 15471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 43464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.13W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 3.13W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Power dissipation: 3.13W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NTF5P03T3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 3.13W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Power dissipation: 3.13W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |