NTF3055L108T1G ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 21.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTF3055L108T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTF3055L108T1G за ціною від 17.86 грн до 72.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTF3055L108T1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2.1W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Mounting: SMD Pulsed drain current: 9A Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF3055L108T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 18227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTF3055L108T1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 3A N-Channel |
на замовлення 74138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Mounting: SMD Pulsed drain current: 9A Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTF3055L108T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 15965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTF3055L108T1G************ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTF3055L108T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |