Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTF2955T1G
NTF2955T1G

NTF2955T1G ON Semiconductor

ntf2955-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTF2955T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTF2955T1G за ціною від 26.91 грн до 97.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+34.83 грн
2000+ 31.57 грн
5000+ 30.07 грн
10000+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 17626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.96 грн
10+ 62.5 грн
100+ 48.57 грн
500+ 38.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : onsemi NTF2955_D-2318911.pdf MOSFET -60V 2.6A P-Channel
на замовлення 20329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.16 грн
10+ 68.6 грн
100+ 46.51 грн
500+ 39.35 грн
1000+ 32.05 грн
2000+ 30.17 грн
5000+ 28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ONSEMI 1916829.pdf Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 36985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.49 грн
11+ 75.03 грн
100+ 54.44 грн
500+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTF2955T1G Виробник : ONS ntf2955-d.pdf Транз. Пол. ММ P-Channel MOSFET SOT-223 Udss=60V; Id=1,7 A; Pdmax=1 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTF2955T1G Виробник : ON-Semicoductor ntf2955-d.pdf P-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+95.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTF2955T1G NTF2955T1G Виробник : ONSEMI ntf2955-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
товар відсутній