![NTE629 NTE629](https://media.digikey.com/Photos/NTE-Electronics/MFG_NTE629.jpg)
NTE629 NTE Electronics, Inc
![nte629.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: R-SI DUAL 200V 16A 150NS
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 217.71 грн |
10+ | 199.38 грн |
20+ | 188.39 грн |
50+ | 167.16 грн |
100+ | 163.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE629 NTE Electronics, Inc
Description: R-SI DUAL 200V 16A 150NS, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A, Supplier Device Package: TO-220, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції NTE629
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTE629 | Виробник : NTE Electronics |
![]() |
товар відсутній |