NTE580-1 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bag
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27
Packaging: Bag
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.63 грн |
10+ | 85.76 грн |
20+ | 81.36 грн |
50+ | 72.23 грн |
100+ | 70.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE580-1 NTE Electronics, Inc
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27, Packaging: Bag, Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-27, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9.4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V.
Інші пропозиції NTE580-1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTE5801 | Виробник : NTE Electronics, Inc | Description: R-100 PRV 3A AXIAL LEAD |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
NTE5801 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 0.5mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NTE580-1 | Виробник : NTE Electronics | NTE580-1 THT universal diodes |
товар відсутній |
||
NTE5801 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.2V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.2V Leakage current: 0.5mA |
товар відсутній |