NTE4970 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TVS DIODE 102VWM 165VC
Packaging: Bag
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 102V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 114V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 165V
Description: TVS DIODE 102VWM 165VC
Packaging: Bag
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 102V
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 114V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 165V
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.71 грн |
10+ | 93.66 грн |
20+ | 89.17 грн |
50+ | 78.76 грн |
100+ | 77.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE4970 NTE Electronics, Inc
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; Ø9,52x5,21mm, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 102V, Breakdown voltage: 120V, Max. forward impulse current: 9.1A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: Ø9,52x5,21mm, Mounting: THT, Leakage current: 5µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE4970
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTE4970 | Виробник : NTE Electronics |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; Ø9,52x5,21mm Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 102V Breakdown voltage: 120V Max. forward impulse current: 9.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: Ø9,52x5,21mm Mounting: THT Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NTE4970 | Виробник : NTE Electronics |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; Ø9,52x5,21mm Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 102V Breakdown voltage: 120V Max. forward impulse current: 9.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: Ø9,52x5,21mm Mounting: THT Leakage current: 5µA |
товар відсутній |