NTE2383 NTE Electronics, Inc.
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 785.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2383 NTE Electronics, Inc.
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -7.5A, Pulsed drain current: -42A, Power dissipation: 75W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.3Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2383
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE2383 | Виробник : NTE Electronics |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -42A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
NTE2383 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.5A; Idm: -42A; 75W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -42A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |