![NTE2373 NTE2373](https://media.digikey.com/Photos/NTE-Electronics/MFG_NTE2373.jpg)
NTE2373 NTE Electronics, Inc
![nte2373.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 551.57 грн |
10+ | 504.4 грн |
20+ | 478.4 грн |
50+ | 423.86 грн |
100+ | 413.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2373 NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTE2373 за ціною від 468 грн до 713.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE2373 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTE2373 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTE2373 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() |
товар відсутній |