![NTE2355 NTE2355](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/B0/E7/A0/00/0/687627_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=727b7b5d53c4b874496c538d02a98da753f22cb0)
NTE2355 NTE Electronics
![nte2355.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.4 грн |
10+ | 54.97 грн |
18+ | 48.29 грн |
50+ | 45.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2355 NTE Electronics
Description: T-NPN SI W/10K RESISTOR, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92S, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції NTE2355 за ціною від 51.45 грн до 77.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE2355 | Виробник : NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2355 | Виробник : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2355 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() |
товар відсутній |