NTE221 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH VHF AMP/MIX
Packaging: Bag
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Current Rating (Amps): 18mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Gain: 20dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 5dB
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 13 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 927.91 грн |
| 10+ | 848.83 грн |
| 20+ | 804.12 грн |
| 50+ | 712.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE221 NTE Electronics, Inc
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT, Case: TO72, Power dissipation: 0.4W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: THT, Features of semiconductor devices: dual gate; ESD protected gate, Kind of transistor: RF, Kind of channel: depleted, Drain current: 18mA, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE221 за ціною від 655.32 грн до 1185.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE221 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT Case: TO72 Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Electrical mounting: THT Features of semiconductor devices: dual gate; ESD protected gate Kind of transistor: RF Kind of channel: depleted Drain current: 18mA Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTE221 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT Case: TO72 Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Electrical mounting: THT Features of semiconductor devices: dual gate; ESD protected gate Kind of transistor: RF Kind of channel: depleted Drain current: 18mA Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|