на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 71.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD600N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTD600N80S3Z за ціною від 64.4 грн до 180.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD600N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD600N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD600N80S3Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE |
на замовлення 9285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD600N80S3Z | Виробник : onsemi |
MOSFET SF3 800V 600MOHM, DPAK |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD600N80S3Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NTD600N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 60W On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NTD600N80S3Z | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 60W On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A |
товар відсутній |