![NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f58bcd78ed5fb07ced3708ceca182724942fc19e/fcd260n65s3.jpg)
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor
![ntd5c648nl-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 181.63 грн |
5000+ | 179.83 грн |
10000+ | 177.97 грн |
25000+ | 169.89 грн |
30000+ | 155.7 грн |
50000+ | 147.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD5C648NLT4G ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 550A; 2.2W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 16A, Pulsed drain current: 550A, Power dissipation: 2.2W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 17nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTD5C648NLT4G за ціною від 144.81 грн до 251.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
NTD5C648NLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 550A; 2.2W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 2.2W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
NTD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NTD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
NTD5C648NLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 550A; 2.2W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Pulsed drain current: 550A Power dissipation: 2.2W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |