![NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3DPAK05-40.jpg)
NTD5867NLT4G ONSEMI
![ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 30.73 грн |
7500+ | 30.18 грн |
20000+ | 29.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD5867NLT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції NTD5867NLT4G за ціною від 18.83 грн до 120.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 36W; DPAK Kind of package: reel; tape Power dissipation: 36W Gate charge: 15nC Polarisation: unipolar Drain current: 20A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK On-state resistance: 39mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 86238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 86238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 66651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
NTD5867NLT4G | Виробник : TECH PUBLIC |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NTD5867NLT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NTD5867NLT4G Код товару: 172926 |
Виробник : ON |
![]() Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 33 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 675/15 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTD5867NLT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
товар відсутній |