![NTD4979NT4G NTD4979NT4G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3DPAK05-40.jpg)
NTD4979NT4G ONSEMI
![NTD4979N.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 20.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4979NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.3W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTD4979NT4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD4979NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |