![NTD4860NA-1G NTD4860NA-1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/488%3B369D-01%3B-1%3B3.jpg)
NTD4860NA-1G onsemi
![ntd4860n.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1665+ | 12.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4860NA-1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTD4860NA-1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NTD4860NA-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |