![NTD4858NT4G NTD4858NT4G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f58bcd78ed5fb07ced3708ceca182724942fc19e/fcd260n65s3.jpg)
NTD4858NT4G ON Semiconductor
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 46.69 грн |
15+ | 42.11 грн |
100+ | 32.38 грн |
500+ | 27.06 грн |
1000+ | 21.91 грн |
2500+ | 20.9 грн |
5000+ | 19.62 грн |
12500+ | 18 грн |
25000+ | 17.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4858NT4G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTD4858NT4G за ціною від 24.15 грн до 62.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD4858NT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTD4858NT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
NTD4858NT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 175670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTD4858NT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NTD4858NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
NTD4858NT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 56A; Idm: 146A; 54.5W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 25V Drain current: 56A On-state resistance: 7.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 146A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
NTD4858NT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
NTD4858NT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 56A; Idm: 146A; 54.5W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 25V Drain current: 56A On-state resistance: 7.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 146A Mounting: SMD |
товар відсутній |