![NTD4858N-35G NTD4858N-35G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3IPAK05-40.jpg)
NTD4858N-35G ONSEMI
![ONSM-S-A0013300772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTD4858N-35G - MOSFET, N-CH, 25V, 73A, TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 118666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
975+ | 28.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4858N-35G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTD4858N-35G за ціною від 31.16 грн до 64.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD4858N-35G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTD4858N-35G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
NTD4858N-35G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |