![NTD4808N-1G NTD4808N-1G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3IPAK05-40.jpg)
NTD4808N-1G ONSEMI
![ONSM-S-A0013300697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 74.82 грн |
18+ | 45.58 грн |
100+ | 41.59 грн |
500+ | 34.92 грн |
1000+ | 24.66 грн |
5000+ | 24.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4808N-1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4808N-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0067 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54.6W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції NTD4808N-1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD4808N-1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
NTD4808N-1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 16703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTD4808N-1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 10.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.6W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 11.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 126A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NTD4808N-1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 126A; 54.6W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A On-state resistance: 10.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.6W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 11.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 126A |
товар відсутній |