![NTD4805NT4G NTD4805NT4G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO252-40.jpg)
NTD4805NT4G ONSEMI
![2255269.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 111.8 грн |
10+ | 101.63 грн |
100+ | 78.18 грн |
500+ | 58.95 грн |
2500+ | 41.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4805NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 95, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043, Rds(on)-Prüfspannung: 11.5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції NTD4805NT4G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD4805NT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V |
на замовлення 663024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
NTD4805NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTD4805NT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTD4805NT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTD4805NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTD4805NT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; Idm: 175A; 79W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 73A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 175A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
NTD4805NT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|
![]() |
NTD4805NT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|
NTD4805NT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; Idm: 175A; 79W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 73A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 175A |
товар відсутній |