Продукція > ONSEMI > NTD3055L104T4G
NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G onsemi

ntd3055l104-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055L104T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.089 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTD3055L104T4G за ціною від 25.33 грн до 86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ONSEMI NTD3055L104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.84 грн
24+ 36.15 грн
65+ 34.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : onsemi NTD3055L104_D-2318904.pdf MOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 107693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.05 грн
10+ 54.66 грн
100+ 39.51 грн
500+ 34.99 грн
1000+ 29.2 грн
2500+ 26.69 грн
5000+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ONSEMI NTD3055L104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.2 грн
24+ 45.05 грн
65+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 3811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.37 грн
10+ 56.77 грн
100+ 44.19 грн
500+ 35.15 грн
1000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ONSEMI 2354279.pdf Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.089 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86 грн
12+ 66.22 грн
100+ 47.61 грн
500+ 37.46 грн
1000+ 25.53 грн
5000+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній