NTD2955T4G ON Semiconductor
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD2955T4G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD2955T4G за ціною від 23.58 грн до 89.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD2955T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 19787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD2955T4G | Виробник : onsemi |
MOSFET -60V -12A P-Channel |
на замовлення 11589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|