NTD20P06LT4G ON Semiconductor
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD20P06LT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTD20P06LT4G за ціною від 26.89 грн до 80.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V |
на замовлення 13712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -60V -15.5A P-Channel |
на замовлення 130054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |