![NTD20N06T4G NTD20N06T4G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1069/DPAK_369C.jpg)
NTD20N06T4G onsemi
![ntd20n06-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.22 грн |
5000+ | 43.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD20N06T4G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD20N06T4G за ціною від 43.49 грн до 104.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD20N06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V |
на замовлення 5453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTD20N06T4G********** |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
NTD20N06T4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTD20N06T4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1961 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTD20N06T4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
NTD20N06T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTD20N06T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |