![NTD20N06LT4G NTD20N06LT4G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/DE/DC/00/00/0/52717_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a294730d27d5aed65194c0d426b1bde6eab904ca)
NTD20N06LT4G ONSEMI
![NTD20N06LT4G.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 70.36 грн |
7+ | 53.72 грн |
20+ | 42.83 грн |
55+ | 40.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD20N06LT4G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD20N06LT4G за ціною від 33.8 грн до 101.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5567 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTD20N06LT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NTD20N06LT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 60W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V |
товар відсутній |