![NTD20N03L27-1G NTD20N03L27-1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/488%3B369D-01%3B-1%3B3.jpg)
NTD20N03L27-1G onsemi
![NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 22.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD20N03L27-1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD20N03L27-1G за ціною від 31.74 грн до 31.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD20N03L27-1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
NTD20N03L27-1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
NTD20N03L27-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
NTD20N03L27-1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V |
товар відсутній |