Продукція > ONSEMI > NTD14N03RT4G
NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G onsemi

ntd14n03r-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.27 грн
5000+ 37.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD14N03RT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm.

Інші пропозиції NTD14N03RT4G за ціною від 35.35 грн до 99.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
на замовлення 7565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+58.87 грн
500+ 42.11 грн
2500+ 37.19 грн
7500+ 36.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+75.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
155+78.05 грн
157+ 77.28 грн
188+ 64.48 грн
250+ 58.28 грн
500+ 49.52 грн
1000+ 39.54 грн
3000+ 38.07 грн
Мінімальне замовлення: 155
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+85.22 грн
10+ 72.48 грн
25+ 71.76 грн
100+ 57.73 грн
250+ 50.11 грн
500+ 44.14 грн
1000+ 36.72 грн
3000+ 35.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0704ohm
на замовлення 7565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.34 грн
11+ 74.11 грн
100+ 58.87 грн
500+ 42.11 грн
2500+ 37.19 грн
7500+ 36.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : onsemi NTD14N03R_D-2318355.pdf MOSFET 25V 14A N-Channel
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.25 грн
10+ 75.26 грн
100+ 53.73 грн
500+ 47.18 грн
1000+ 38.89 грн
2500+ 37.22 грн
5000+ 36.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : onsemi ntd14n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
на замовлення 10454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.51 грн
10+ 78.62 грн
100+ 61.13 грн
500+ 48.63 грн
1000+ 39.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTD14N03RT4G Виробник : ONSEMI NTD14N03R-D.PDF Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 89500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 2,5 А; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20; Qg, нКл = 1,8 @ 5 В; Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; DPAK-3
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+51.34 грн
14+ 47.91 грн
100+ 44.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTD14N03RT4G******
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD14N03RT4G Виробник : ONSEMI ntd14n03r-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G Виробник : ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD14N03RT4G Виробник : ONSEMI ntd14n03r-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній