![NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2895659-40.jpg)
NTBLS0D7N06C ONSEMI
![2913016.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 314W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 547.48 грн |
100+ | 447.66 грн |
500+ | 367.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBLS0D7N06C ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 470A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 314W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTBLS0D7N06C за ціною від 317.02 грн до 689.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTBLS0D7N06C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTBLS0D7N06C | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTBLS0D7N06C | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 470A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 314W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTBLS0D7N06C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTBLS0D7N06C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V |
товар відсутній |