Продукція > ONSEMI > NTBG1000N170M1
NTBG1000N170M1

NTBG1000N170M1 onsemi

NTBG1000N170M1-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.86 грн
10+ 252.78 грн
100+ 204.54 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG1000N170M1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції NTBG1000N170M1 за ціною від 150.53 грн до 339.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTBG1000N170M1 NTBG1000N170M1 Виробник : onsemi NTBG1000N170M1_D-3150438.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+339.86 грн
10+ 281.31 грн
25+ 230.68 грн
100+ 197.92 грн
250+ 186.77 грн
500+ 175.62 грн
800+ 150.53 грн
NTBG1000N170M1 NTBG1000N170M1 Виробник : onsemi NTBG1000N170M1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
товар відсутній