![NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE7D2Pak05-40.jpg)
NTBG020N090SC1 ONSEMI
![NTBG020N090SC1-D.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1412.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBG020N090SC1 ONSEMI
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V.
Інші пропозиції NTBG020N090SC1 за ціною від 1368.74 грн до 2738.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTBG020N090SC1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTBG020N090SC1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTBG020N090SC1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTBG020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
NTBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
NTBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
NTBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |