Продукція > ONSEMI > NTB095N65S3HF
NTB095N65S3HF

NTB095N65S3HF onsemi

ntb095n65s3hf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+280.07 грн
1600+ 242.73 грн
2400+ 227.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB095N65S3HF onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTB095N65S3HF за ціною від 222.32 грн до 478.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : onsemi ntb095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+444.03 грн
10+ 366.75 грн
100+ 305.65 грн
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : onsemi NTB095N65S3HF_D-2318552.pdf MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 800 шт:
термін постачання 150-159 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+478.08 грн
10+ 403.93 грн
100+ 292.7 грн
800+ 232.07 грн
2400+ 222.32 грн
NTB095N65S3HF NTB095N65S3HF Виробник : ON Semiconductor ntb095n65s3hf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній