Продукція > ONSEMI > NTB082N65S3F
NTB082N65S3F

NTB082N65S3F onsemi

ntb082n65s3f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+378.06 грн
1600+ 327.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTB082N65S3F onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTB082N65S3F за ціною від 354.03 грн до 644.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : onsemi ntb082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+599.33 грн
10+ 495.1 грн
100+ 412.6 грн
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : onsemi NTB082N65S3F_D-2318523.pdf MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+644.76 грн
10+ 545.79 грн
100+ 400.03 грн
250+ 395.15 грн
800+ 354.03 грн
NTB082N65S3F NTB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor ntb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній