NTA4001NT1G ON Semiconductor
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTA4001NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 1.5 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238mA, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTA4001NT1G за ціною від 3.07 грн до 26.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTA4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTA4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 1.5 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTA4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
на замовлення 47849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTA4001NT1G | Виробник : onsemi | MOSFETs 20V 238mA N-Channel |
на замовлення 47495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTA4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75 Case: SC75 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.238A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTA4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75 Case: SC75 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.238A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
товар відсутній |