NSVMUN531335DW1T3G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.02 грн |
| 30000+ | 2.85 грн |
| 50000+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMUN531335DW1T3G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVMUN531335DW1T3G за ціною від 2.58 грн до 24.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSVMUN531335DW1T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVMUN531335DW1T3G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors Complementary Bias Resistor Transistors, 50 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NSVMUN531335DW1T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NSVMUN531335DW1T3G | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR NPN/PNP 50V |
товар відсутній |