Продукція > ONSEMI > NSVMUN531335DW1T1G
NSVMUN531335DW1T1G

NSVMUN531335DW1T1G onsemi


mun531335dw1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN531335DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN531335DW1T1G за ціною від 2.58 грн до 24.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMUN531335DW1T1G NSVMUN531335DW1T1G Виробник : onsemi mun531335dw1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.37 грн
19+ 15.46 грн
100+ 7.52 грн
500+ 5.89 грн
1000+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVMUN531335DW1T1G NSVMUN531335DW1T1G Виробник : onsemi MUN531335DW1_D-2316168.pdf Digital Transistors Complementary Bias Resistor Transistors, 50 V
на замовлення 10650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.23 грн
19+ 16.91 грн
100+ 9.27 грн
1000+ 4.18 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 2.72 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN531335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun531335dw1-d.pdf
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMUN531335DW1T1G NSVMUN531335DW1T1G Виробник : ON Semiconductor mun531335dw1-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній