![NSVMUN2233T1G NSVMUN2233T1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8d47921ecf3277b60a5695b5f16c44716170c047/sc-59-3.jpg)
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
317+ | 1.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMUN2233T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції NSVMUN2233T1G за ціною від 1.73 грн до 18.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVMUN2233T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVMUN2233T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVMUN2233T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVMUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NSVMUN2233T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NSVMUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSVMUN2233T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |