Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2230LT1G
NSVMMUN2230LT1G

NSVMMUN2230LT1G onsemi


dtc113e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.78 грн
6000+ 3.38 грн
9000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2230LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMMUN2230LT1G за ціною від 2.47 грн до 24.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMMUN2230LT1G NSVMMUN2230LT1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.89 грн
20+ 14.84 грн
100+ 7.25 грн
500+ 5.67 грн
1000+ 3.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2230LT1G NSVMMUN2230LT1G Виробник : onsemi DTC113E_D-2310891.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.52 грн
19+ 17.77 грн
100+ 6 грн
1000+ 4.09 грн
3000+ 3.17 грн
9000+ 2.61 грн
24000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 14