NSVMMBTH81LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.34 грн |
6000+ | 6.77 грн |
9000+ | 6.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMBTH81LT1G onsemi
Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active.
Інші пропозиції NSVMMBTH81LT1G за ціною від 5.81 грн до 29.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSVMMBTH81LT1G | Виробник : onsemi |
Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 600MHz Supplier Device Package: SOT-23 |
на замовлення 13167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSVMMBTH81LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 5677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSVMMBTH81LT1G | Виробник : ON Semiconductor | 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NSVMMBTH81LT1G | Виробник : ON Semiconductor | 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor |
товар відсутній |