Продукція > ONSEMI > NSVMMBTH10LT1G
NSVMMBTH10LT1G

NSVMMBTH10LT1G onsemi


mmbth10lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 147000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.38 грн
6000+ 7.58 грн
15000+ 7.09 грн
30000+ 6.1 грн
75000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBTH10LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 999A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSVMMBTH10LT1G за ціною від 6.2 грн до 35.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 999A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.74 грн
500+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G Виробник : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 153128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.4 грн
13+ 22.94 грн
25+ 21.02 грн
100+ 14.68 грн
250+ 13.31 грн
500+ 11.01 грн
1000+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G Виробник : onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR
на замовлення 5558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.79 грн
15+ 21.96 грн
100+ 11.29 грн
1000+ 8.43 грн
3000+ 7.04 грн
9000+ 6.76 грн
24000+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+35.18 грн
33+ 24.24 грн
100+ 12.82 грн
500+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVMMBTH10LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 386000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3496+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3496
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній