Продукція > ONSEMI > NSVF6003SB6T1G
NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G ONSEMI

nsvf6003sb6-d.pdf NSVF6003SB6-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVF6003SB6T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: CPH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSVF6003SB6T1G за ціною від 14.29 грн до 32.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVF6003SB6T1G NSVF6003SB6T1G Виробник : ON Semiconductor nsvf6003sb6-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSVF6003SB6T1G NSVF6003SB6T1G Виробник : ONSEMI 2339388.pdf Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24 грн
39+ 20.17 грн
100+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 33
NSVF6003SB6T1G NSVF6003SB6T1G Виробник : onsemi NSVF6003SB6_D-2318404.pdf RF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.52 грн
14+ 24.36 грн
100+ 17.14 грн
500+ 15.26 грн
1000+ 14.43 грн
3000+ 14.36 грн
24000+ 14.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVF6003SB6T1G NSVF6003SB6T1G Виробник : ON Semiconductor nsvf6003sb6-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSVF6003SB6T1G Виробник : ON Semiconductor nsvf6003sb6-d.pdf NSVF6003SB6-D.PDF
на замовлення 20950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVF6003SB6T1G NSVF6003SB6T1G Виробник : onsemi NSVF6003SB6-D.PDF Description: RF TRANSISTOR, NPN SINGLE, 12 V,
товар відсутній