![NSVF6001SB6T1G NSVF6001SB6T1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/488%3B318BD%3B%3B6.jpg)
NSVF6001SB6T1G onsemi
![NSVF6001SB6-D.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 800mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 6.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.37 грн |
10+ | 37.87 грн |
25+ | 35.6 грн |
100+ | 27.25 грн |
250+ | 25.31 грн |
500+ | 21.55 грн |
1000+ | 16.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVF6001SB6T1G onsemi
Description: RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Gain: 11dB, Power - Max: 800mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 6.7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 6-CPH, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVF6001SB6T1G за ціною від 14.95 грн до 48.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVF6001SB6T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVF6001SB6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 6.7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |