Продукція > ONSEMI > NSVDTC123JET1G
NSVDTC123JET1G

NSVDTC123JET1G onsemi

dtc123j-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.61 грн
6000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVDTC123JET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції NSVDTC123JET1G за ціною від 3.16 грн до 29.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVDTC123JET1G NSVDTC123JET1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.37 грн
17+ 18.08 грн
100+ 8.84 грн
500+ 6.92 грн
1000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC123JET1G Виробник : onsemi DTC123J_D-2310909.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SMALL SIGNAL BIAS RE
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.77 грн
15+ 22.07 грн
100+ 7.38 грн
1000+ 5.06 грн
3000+ 3.94 грн
9000+ 3.3 грн
24000+ 3.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVDTC123JET1G NSVDTC123JET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній