Продукція > ONSEMI > NSVBC857CWT1G
NSVBC857CWT1G

NSVBC857CWT1G onsemi

bc856bwt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.36 грн
6000+ 2.15 грн
9000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVBC857CWT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSVBC857CWT1G за ціною від 1.39 грн до 15.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVBC857CWT1G NSVBC857CWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.4 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSVBC857CWT1G NSVBC857CWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 13057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.57 грн
32+ 9.36 грн
100+ 5.04 грн
500+ 3.71 грн
1000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC857CWT1G NSVBC857CWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1_D-2310301.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
на замовлення 15190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.39 грн
34+ 9.7 грн
100+ 3.83 грн
1000+ 2.3 грн
3000+ 1.88 грн
9000+ 1.46 грн
24000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC857CWT1G NSVBC857CWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - NSVBC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.87 грн
73+ 10.79 грн
166+ 4.74 грн
500+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 50
NSVBC857CWT1G NSVBC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній