![NSVBC114YPDXV6T1G NSVBC114YPDXV6T1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1136/SOT-563-6_463A.jpg)
NSVBC114YPDXV6T1G onsemi
![dtc114yp-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 5.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVBC114YPDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVBC114YPDXV6T1G за ціною від 3.65 грн до 30.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVBC114YPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSVBC114YPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|