Продукція > ONSEMI > NSV40302PDR2G
NSV40302PDR2G

NSV40302PDR2G onsemi

nss40302p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.8 грн
10+ 48.49 грн
100+ 33.61 грн
500+ 26.36 грн
1000+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV40302PDR2G onsemi

Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NSV40302PDR2G за ціною від 18.61 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSV40302PDR2G NSV40302PDR2G Виробник : onsemi NSS40302P_D-2318468.pdf Bipolar Transistors - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
на замовлення 34916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.77 грн
10+ 53.94 грн
100+ 32.48 грн
500+ 27.18 грн
1000+ 23.07 грн
2500+ 18.68 грн
5000+ 18.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSV40302PDR2G NSV40302PDR2G Виробник : onsemi nss40302p-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній