Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSV1C201LT1G
NSV1C201LT1G

NSV1C201LT1G ON Semiconductor

nss1c201l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSV1C201LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

Інші пропозиції NSV1C201LT1G за ціною від 10.73 грн до 41.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.14 грн
6000+ 12.01 грн
9000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 17817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.2 грн
10+ 32.09 грн
100+ 22.3 грн
500+ 16.34 грн
1000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV1C201LT1G NSV1C201LT1G Виробник : onsemi NSS1C201L_D-2318370.pdf Bipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
на замовлення 21658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.63 грн
10+ 35.26 грн
100+ 21.6 грн
500+ 16.87 грн
1000+ 13.66 грн
3000+ 11.43 грн
9000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSV1C201LT1G Виробник : ON Semiconductor nss1c201l-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)